本周隨著特斯拉在國內悄然發布六座版ModelYL,正式進軍六座市場，看起來似乎比國內造車新勢力晚一步，卻也引發一片市場聲音。毫無疑問，這將意味著下半年開始中國新能源造車新勢力將面臨新一輪洗牌時刻。

反觀今年功率半導體市場的需求穩步增長，無非得益于兩方面：除了消費電子行業在今年Q1明顯復蘇外；最主要的就是高端的汽車電子、AI帶動的高性能計算及高速通信等需求，給產業帶來新的成長驅動力。

汽車半導體市場空間巨大，尤其是隨著汽車行業電子化程度的提高，汽車芯片的需求量快速增長。國際數據公司（IDC）預計，隨著高級駕駛輔助系統（ADAS）、電動汽車（EV）和車聯網（IoV）的日益普及，汽車半導體市場規模到 2027 年將超過 880 億美元。而根據英飛凌數據，2024 年全球汽車半導體市場規模為 684 億美元。這意味未來三年全球汽車半導體市場規模將增長近 29%。

圖片來源：IDC

中國汽車半導體市場增速更為可觀。據悉，2024 年中國汽車芯片市場規模達 1200 億元，預計 2030 年突破 3000 億元，年復合增長率超 25%。增長主要源于：新能源汽車滲透率提升至40%，帶動功率芯片需求；L2級以上智能駕駛滲透率超50%，推動主控芯片需求；智能座艙普及率超60%，拉動存儲和模擬芯片需求。

推薦品牌

英飛凌|安世|捷捷微|瞻芯

英飛凌（Infineon）

功率半導體領域是毋庸置疑的佼佼者，也是領先的功率系統創新者，旗下產品涵蓋硅、碳化硅和氮化鎵的功率、驅動器、微處理器和軟件解決方案。

安世（Nexperia）

基礎半導體器件開發和生產的領跑者，Nexperia的器件被廣泛應用于汽車、工業、移動和消費等多個應用領域，幾乎為世界上所有電子設計的基本功能提供支持。

捷捷微（JJW）

在晶閘管和防護器件領域絕對的國內龍頭地位和深厚技術積累；強大的本土客戶基礎和國產替代浪潮下的受益地位。

瞻芯（Inventchip）

聚焦碳化硅(SiC)半導體領域；是國內第一家自主開發并掌握6英寸SiC MOSFET產品以及工藝平臺的公司。

唯樣優勢：

現貨庫存13萬+，支持免費樣品申請

原廠授權，產品質量有保障

而在新能源與高頻電子需求驅動下，二極管和三極管技術也迎來結構性升級。傳統硅基器件持續優化，第三代半導體加速滲透，共同重塑產業格局。

材料革命：SiC/GaN顛覆性能邊界

碳化硅（SiC）肖特基二極管憑借零反向恢復損耗和耐高溫特性，在電動汽車電驅、光伏逆變器中快速替代硅基快恢復二極管（FRD），2023年車規市場滲透率激增超50%。從市場滲透率來看，碳化硅功率半導體在全球功率半導體市場中的占比已從2020年的1.3%增至2024年的4.9%，并預計在2029年達到17.1%。

圖片來源：未來智庫

氮化鎵（GaN）則主導650V以下高頻場景，手機快充采用GaN HEMT（高電子遷移率晶體管）后，功率密度提升3倍，適配器體積縮小50%。硅基IGBT與MOSFET通過微溝槽柵技術（第7代IGBT）和超結結構（SJ-MOSFET）延續生命力，但SiC MOSFET已在1700V高壓領域實現系統效率5-10%的提升，成為特斯拉等車企電驅核心。

封裝創新：功率密度的關鍵突破

為匹配高頻高溫需求，雙面散熱封裝（如英飛凌.XT）和銀燒結工藝將散熱效率提高40%，耐溫能力突破175℃。小型化趨勢推動DFN5x6、晶圓級封裝（WLCSP）在消費電子普及，IPM智能模塊則整合驅動與保護電路，使工業控制系統體積縮減30%。

推薦品牌

羅姆|威世

羅姆（ROHM）

第三代半導體全球領導者，全球少數實現 SiC“襯底-外延-器件-模塊”垂直整合 的IDM廠商，掌握關鍵晶圓生長技術，車規級SiC MOSFET市占率超20%（2023年），供貨日產、本田、吉利等車企，性能比硅基IGBT提升5-10%系統效率。

威世（Vishay）

車規級可靠性全球領先，超快恢復二極管標桿→ TMBS（溝槽勢壘肖特基）二極管反向恢復時間（trr）低至4ns（競品普遍>10ns），用于5G基站電源效率提升3%。業界最高浪涌耐受：→ FRED Pt超快二極管抗浪涌電流達600A（TO-220封裝）。

唯樣優勢：

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